RFIC的设计为了可以满足更高频率、更高整合度的需求。把电路进行整合，得到更小体积 RFIC。

​为了迎接下一世代的5G技术，更高功率、更高效率的应用需求，其数据传输速度将是现行4G LTE的100倍，将导入氮化镓(GaN)组件，只有氮化镓功率放大器可以应付如此快速的数据传输，也会更进一步拉大氮化镓、砷化镓与硅工艺功率放大器之间性价比的差距。

pHEMT将较传统HEMT拥有(1)较高二维电子(2DEG)浓度、较快电子千一律，(2)较高崩溃电压 、较低漏电流(3)较好温度特性，以及噪声特性特别适合应用在高功率基地台，低噪声放大器(LNA)以及射频开关(RF Switch)上。

氮化镓(GaN)功率组件具备低导通电阻以及耐压特性，且2D电子气体(2DEG)高速电子迁移率所带来的高频特性，可以操作在1M以上频率。以市面上的硅(Si)功率组件来说，td(on)、tr、td(off)、tf值大多在10 ns ~100 ns左右，而氮化镓高速电子迁移率场效晶体管(GaN-HEMT)的数值全部都是数ns等级。

GaN在SiC外延，由于SiC 拥有最好散热以及较小晶格不匹配，不需要很厚的buffer transition，所以在高频磊芯片特性表现优异，但是相关专利技术， 目前掌握在美国科瑞(Cree)手中，本研究团队利用国内SiC， 成功制作GaN on SiC HEMT 外延芯片。

GaN/Si HEMT 拥有大尺寸优点，Si基板的导电性可以很容易地靠掺杂量来控制且Si基板之散热性较传统蓝宝石基板为佳，对改善高功率电子及光电阻件的性能将会有所帮助，因此Si基板非常有潜力作为发展大尺寸GaN磊晶及组件片的应用。

pHEMT 则有较高的电子移动率，较平坦的互导-偏压关系，较低的漏电流特性，较高的电流驱动能力且较好的温度稳定性，并具有超高频及低噪声特性，使其在高功率基地台，低噪声放大器(LNA)及RF Switch上占有重要地位。

氮化镓(GaN)功率组件具备低导通电阻以及耐压特性，且2D电子气体(2DEG)高速电子迁移率所带来的高频特性，可以操作在1M以上频率。以市面上的硅(Si)功率组件来说，td(on)、tr、td(off)、tf值大多在10 ns ~100 ns左右，而氮化镓高速电子迁移率场效晶体管(GaN-HEMT)的数值全部都是数ns等级。

HBT 因物理特性具备高线性度、良好宽带响应、高崩溃电压、高增益、高效率、较低寄生效应、无需负偏压设计、低相位噪声等优点，致使其功能显现具有功率放大倍率佳、待机耗电流较低、体积小等特色，故在符合移动电话产品发展趋势下，HBT 已逐渐成为市场上手机及无线局域网络(WLAN)用PA(Power Amplifier, 功率放大器)之主流工艺。