GaN/SiC 外延晶圆

2017-11-9 16:25:26 7

GaN在SiC外延,由于SiC 拥有最好散热以及较小晶格不匹配,不需要很厚的buffer transition,所以在高频磊芯片特性表现优异,但是相关专利技术, 目前掌握在美国科瑞(Cree)手中,本研究团队利用国内SiC, 成功制作GaN on SiC HEMT 外延芯片。

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